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閆懷志向記者介紹道，氮化鎵是一種新型的、寬禁帶半導體材料，屬于第三代半導體材料。相比傳統硅基半導體，其擊穿能力更出色，電子密度、電子遷移率以及熱導率更高。當電流流過晶體管時，開關損耗主要發生在開關狀態的轉換過程中。而在電壓恒定的情況下，氮化鎵能夠提供比硅更小的電阻并減少隨后的開關和傳導過程中出現的損耗，因此使用氮化鎵材料的充電器，其充電效率最高可以達到95%。